式处而且也仅仅是笔者粗浅的思考。
【图文导读】图1.单晶hBN膜的合成图2.SC-hBN膜的原子结构图3.SC-Gr/hBN异质结和单晶WS2膜的垂直生长图4.晶片级SC-hBNfilm膜的防铜氧化和水蒸气阻隔保护层应用【总结】总之，理国力研理系作者采用能够自调节的圆形hBN晶粒之间的自准直的方法合成了无晶界的SC-hBN膜。网新文献链接：Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridefilmviaself-collimatedgrainformation,(Science,2018,DOI:10.1126/science.aau2132)。
硼(B)和氮(N)原子在液态金中的有限溶解度促进了高温下原子在液体表面的高度扩散，疆电从而产生圆形hBN颗粒。这些晶粒通过晶粒间静电相互作用所形成的B和N边的自准直进一步演化为紧密排列的密堆积晶粒，发台最终在晶圆尺度上形成SC-hBN薄膜。【成果简介】今日，区综来自韩国成均馆大学的YoungHeeLe，区综东国大学的KiKangKim以及KIST研究院的SooMinKim（共同通讯）联合在Science上发表文章，题为Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridefilmviaself-collimatedgrainformation。
合管SC-hBN膜是石墨烯/hBN异质结构和WS2膜在晶片规模上单晶生长的有前景的衬底。尽管微米尺寸的多晶hBN已经实现并被用于基础研究，式处但晶片级单晶hBN(SC-hBN)薄膜还不能用于实际应用。
然而，理国力研理系随机取向的hBN晶粒之间的晶界不可避免地产生PC-hBN膜，并且在PC-hBN中大量的晶界导致电荷散射，位点捕获，阻碍了高性能电子器件的发展。
与石墨烯极佳的导电性不同的是，网新hNB具有极其优异的绝缘性能，网新这使得其在各种基础科学和技术领域发挥重要作用，例如，作为电荷波动、接触电阻、栅极电介质、钝化层和原子隧穿层昨天小米总裁林斌在微博上表示，疆电已经有超过6000件的发明专利申请，明年突破10000件不成问题。
最后他还强调，发台技术创新是小米产品最核心的发动机。小米为什么要这个时候秀自己的专利呢？一个是为了自己即将发布的新品做准备，区综而另外一个则是为了回击那些质疑小米创新力的声音。
新国货应该是高性价比、合管平价优质的产品。小米总裁林斌昨天接受媒体采访时重申，式处爆品是小米最简单也是最根本的逻辑，要做出爆品，最核心还是小米的产品研发和技术研发。